CY15B064Q-SXET CYPRESS

CY15B064Q-SXET CYPRESS
CY15B064Q-SXET CYPRESS
CY15B064Q-SXET CYPRESS
CY15B064Q-SXET CYPRESS
CY15B064Q-SXET CYPRESS

CY15B064Q-SXET CYPRESS

Tillgänglig
Skicka förfrågan
');*/ }); })
Detaljer
Förfrågan
CY15B064Q-SXET CYPRESS

■ 64 Kbit ferroelektriskt RAM-minne (Random Access Memory) logiskt organiserat som 8K × 8
❐ Hög uthållighet 10 biljoner (1013) läsning/skrivningar
❐ 121 års datalagring (se Datalagring och uthållighet på sidan 12)
❐ NoDelay™ skriver
❐ Avancerad ferroelektrisk process med hög tillförlitlighet
■ Mycket snabbt seriellt perifert gränssnitt (SPI)
❐ Upp till 16 MHz frekvens
❐ Direkt byte av hårdvara för seriell flash och EEPROM
❐ Stöder SPI-läge 0 (0, 0) och läge 3 (1, 1)
■ Sofistikerat skrivskyddssystem
❐ Hårdvaruskydd med hjälp av Write Protect (WP)-stiftet
❐ Programvaruskydd med hjälp av skrivinaktiveringsinstruktion
❐ Skydd av programvarublock för 1/4, 1/2 eller hela matrisen
■ Låg strömförbrukning
❐ 300
A aktiv ström vid 1 MHz ❐ 6
A (typ) standbyström vid +85 C
■ Lågspänningsdrift: VDD = 3,0 V till 3,6 V
■ Automotive-E temperatur: –40 °C till +125 °C
■ 8-stifts SOIC-paket (Small Outline Integrated Circuit)
■ Överensstämmer med AEC Q100 Grade 1
■ Överensstämmer med begränsning av farliga ämnen (RoHS)
"); });

Tips för att få korrekta offerter från leverantörer. Är du snäll inkludera följande i din förfrågan:
1. Personlig information eller företagsinformation
2. Ge produktförfrågan i detalj
3. Förfrågan om MOQ, enhetspris, etc

Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.

Relaterade produkter