FDI045N10A-F102 PÅ
| Tillgänglig |
FDI045N10A-F102 PÅ
• RDS(på) = 3,8 m (typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A
• Snabb växlingshastighet
• Låg gate-laddning, QG = 54 nC (typ.)
• Högpresterande dikesteknik för extremt låg RDS (på)
• Hög kapacitet för effekt- och strömhantering
• Denna enhet är Pb−fri och är RoHS-kompatibel
• RDS(på) = 3,8 m (typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A
• Snabb växlingshastighet
• Låg gate-laddning, QG = 54 nC (typ.)
• Högpresterande dikesteknik för extremt låg RDS (på)
• Hög kapacitet för effekt- och strömhantering
• Denna enhet är Pb−fri och är RoHS-kompatibel
Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.
