FOD8342オン
利用できる
FOD8342オン
特徴 • FOD8342T − 8mmの沿面距離とクリアランス距離、および0.4mmの絶縁距離により、信頼性の高い高電圧絶縁を実現 • 3.0Aのピーク出力電流駆動能力 中電力IGBT/MOSFET ♦用 出力段にPチャネルMOSFETを使用することで、電源レールに近い出力電圧スイングが可能 • 20kV/sの最小コモンモード除去比 • 広い供給電圧範囲: 10V〜30V • 全動作温度範囲♦で高速スイッチング速度 210ns 最大伝搬遅延 ♦ 65ns 最大パルス幅歪み • ヒステリシス付き低電圧ロックアウト(UVLO) • 拡張工業用温度範囲:-40°C〜100°C • 安全性および規制承認:♦ UL1577、5,000VRMS、1分間 ♦ DIN EN/IEC60747−5−5、1,140Vピーク動作絶縁電圧
特徴 • FOD8342T − 8mmの沿面距離とクリアランス距離、および0.4mmの絶縁距離により、信頼性の高い高電圧絶縁を実現 • 3.0Aのピーク出力電流駆動能力 中電力IGBT/MOSFET ♦用 出力段にPチャネルMOSFETを使用することで、電源レールに近い出力電圧スイングが可能 • 20kV/sの最小コモンモード除去比 • 広い供給電圧範囲: 10V〜30V • 全動作温度範囲♦で高速スイッチング速度 210ns 最大伝搬遅延 ♦ 65ns 最大パルス幅歪み • ヒステリシス付き低電圧ロックアウト(UVLO) • 拡張工業用温度範囲:-40°C〜100°C • 安全性および規制承認:♦ UL1577、5,000VRMS、1分間 ♦ DIN EN/IEC60747−5−5、1,140Vピーク動作絶縁電圧
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