IDH02G65C5 Infineon

IDH02G65C5 Infineon
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON

IDH02G65C5 INFINEON

Tillgänglig
Skicka förfrågan
');*/ }); })
Detaljer
Förfrågan
IDH02G65C5 INFINEON

 Revolutionerande halvledarmaterial - kiselkarbid
 Växlingsbeteende för riktmärke
 Ingen omvänd återhämtning/ Ingen framåtriktad återhämtning
 Temperaturoberoende kopplingsbeteende
 Hög överspänningsströmkapacitet
 Pb-fri blyplätering; Överensstämmer med RoHS
 Kvalificerad enligt JEDEC1) för målapplikationer
 Genombrottsspänning testad vid 4,5 mA2)
 Optimerad för drift vid höga temperaturer
"); });

Tips för att få korrekta offerter från leverantörer. Är du snäll inkludera följande i din förfrågan:
1. Personlig information eller företagsinformation
2. Ge produktförfrågan i detalj
3. Förfrågan om MOQ, enhetspris, etc

Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.

Relaterade produkter