IDW32G65C5B infineon
Tillgänglig
IDW32G65C5B infineon
Revolutionerande halvledarmaterial - kiselkarbid
Växlingsbeteende för riktmärke
Ingen omvänd återhämtning/ Ingen framåtriktad återhämtning
Temperaturoberoende kopplingsbeteende
Hög överspänningsströmkapacitet
Pb-fri blyplätering; Överensstämmer med RoHS
Kvalificerad enligt JEDEC1) för målapplikationer
Genombrottsspänning testad vid 35 mA2) 3)
Optimerad för drift vid höga temperaturer
Revolutionerande halvledarmaterial - kiselkarbid
Växlingsbeteende för riktmärke
Ingen omvänd återhämtning/ Ingen framåtriktad återhämtning
Temperaturoberoende kopplingsbeteende
Hög överspänningsströmkapacitet
Pb-fri blyplätering; Överensstämmer med RoHS
Kvalificerad enligt JEDEC1) för målapplikationer
Genombrottsspänning testad vid 35 mA2) 3)
Optimerad för drift vid höga temperaturer
Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.