LM339DR2G PÅ
Tillgänglig |
LM339DR2G PÅ
• Drift med enkel matning: 3,0 V till 36 V
• Delad matning: ±1,5 V till ±18 V
• Låg ingångsförspänningsström: 25 nA (typ)
• Låg ingångsoffsetström: ±5,0 nA (typ)
• Låg ingångsoffsetspänning
• Mata in Common Mode Voltage Range till GND
• Låg utmättnadsspänning: 130 mV (typ) @ 4,0 mA
• Kompatibel med TTL och CMOS
• ESD-klämmor på ingångarna ökar tillförlitligheten utan att påverka enhetens funktion
• NCV-prefix för fordon och andra applikationer som kräver unika krav på plats- och kontrolländringar; AEC−Q100-kvalificerad och PPAP-kompatibel
• Dessa enheter är Pb-fria, halogenfria/BFR-fria och är RoHS-kompatibla
• Drift med enkel matning: 3,0 V till 36 V
• Delad matning: ±1,5 V till ±18 V
• Låg ingångsförspänningsström: 25 nA (typ)
• Låg ingångsoffsetström: ±5,0 nA (typ)
• Låg ingångsoffsetspänning
• Mata in Common Mode Voltage Range till GND
• Låg utmättnadsspänning: 130 mV (typ) @ 4,0 mA
• Kompatibel med TTL och CMOS
• ESD-klämmor på ingångarna ökar tillförlitligheten utan att påverka enhetens funktion
• NCV-prefix för fordon och andra applikationer som kräver unika krav på plats- och kontrolländringar; AEC−Q100-kvalificerad och PPAP-kompatibel
• Dessa enheter är Pb-fria, halogenfria/BFR-fria och är RoHS-kompatibla
Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.