MasterGaN1 ST

MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST

MasterGaN1 ST

Tillgänglig
MasterGaN1   ST
 
  • 600 V system-i-paket som integrerar halvbrygga gate-drivrutin och högspända GaN-transistorer:
    • QFN 9 x 9 x 1 mm förpackning
    • RDS(PÅ) = 150 mΩ
    • JagDS(MAX) = 10 A
  • Möjlighet att backa strömmen
  • Noll omvänd återhämtningsförlust
  • UVLO-skydd på lågsidan och högsidan
  • Jagnternal bootstrap diode
  • Jagnterlocking function
  • Dedikerat stift för avstängningsfunktion
  • Exakt intern timingmatchning
  • 3,3 V till 15 V kompatibla ingångar med hysteres och neddragning
  • Skydd mot övertemperatur
  • Faktura för reduktion av material
  • Mycket kompakt och förenklad layout
  • Flexibel, enkel och snabb design.


 

Tips on getting accurate quotes from suppliers. Please include the following in your inquiry:
1. Personlig information eller företagsinformation
2. Ge produktförfrågan i detalj
3. Förfrågan for MOQ, Unit Price, etc




Please make sure your contact information is correct. Your message will be sent directly to the recipient(s) and will not be publicly displayed. We will never distribute or sell your personal information to third parties without your express permission.