NCP1380DDR2G PÅ

NCP1380DDR2G ON
NCP1380DDR2G ON
NCP1380DDR2G ON
NCP1380DDR2G ON
NCP1380DDR2G ON

NCP1380DDR2G PÅ

Tillgänglig
Skicka förfrågan
');*/ }); })
Detaljer
Förfrågan
NCP1380DDR2G PÅ

• Kontroll av kvasi-resonant toppström−läge
• Valley Switching-drift med Valley−Lockout för Noise−Immune Operation
• Frekvensvikning vid lätt belastning för att förbättra effektiviteten vid lätt belastning
• Justerbart överströmsskydd
• Automatisk återställning eller spärrat kortslutningsskydd för intern utgång
• Fast intern 80 ms timer för kortslutningsskydd
• Kombinerat överspännings- och övertemperaturskydd (A- och B-versioner)
• Kombinerat överspänningsskydd och brown−out (C- och D-versioner)
• +500 mA/−800 mA toppströmkälla/sänkkapacitet
• Avstängning av intern temperatur
• Direkt anslutning av optokopplare
• Utökad VCC-räckvidd upp till 28 V
• Extremt låg standby−effekt vid nollställning
• SO−8-paket
• Dessa enheter är Pb-fria och är RoHS-kompatibla
"); });

Tips för att få korrekta offerter från leverantörer. Är du snäll inkludera följande i din förfrågan:
1. Personlig information eller företagsinformation
2. Ge produktförfrågan i detalj
3. Förfrågan om MOQ, enhetspris, etc

Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.

Relaterade produkter