NCP51510MNTAG PÅ
| Tillgänglig |
NCP51510MNTAG PÅ
• Generera DDR Memory Termination Voltage (VTT)
• För DDR−2, DDR−3 och DDR−4 käll-/sänkströmmar
• Stöder belastningar upp till ±3 A (typ), utgången är överströmsskyddad
• Integrerade MOSFET:ar med skydd mot termisk avstängning
• Snabb belastnings-transient respons
• PGOOD Output Pin för att övervaka status för VTT-utgångsreglering
• SS ingångsstift för suspend shutdown-läge
• VRI-ingångsreferens för flexibel spänningsspårning
• VTTS-ingång för fjärranalys (Kelvin-anslutning)
• Inbyggd mjukstart, underspänningsspärr
• Litet DFN-paket med låg profil med 10 stift, 3 x 3 mm DFN-paket
• NCV51510MWTAG − Vätbar flank som tillval för förbättrad optisk inspektion
• NCV-prefix för fordon och andra applikationer som kräver unika krav på plats- och kontrolländringar; AEC−Q100-kvalificerad och PPAP-kompatibel*
• Detta är en Pb−fri enhet
• Generera DDR Memory Termination Voltage (VTT)
• För DDR−2, DDR−3 och DDR−4 käll-/sänkströmmar
• Stöder belastningar upp till ±3 A (typ), utgången är överströmsskyddad
• Integrerade MOSFET:ar med skydd mot termisk avstängning
• Snabb belastnings-transient respons
• PGOOD Output Pin för att övervaka status för VTT-utgångsreglering
• SS ingångsstift för suspend shutdown-läge
• VRI-ingångsreferens för flexibel spänningsspårning
• VTTS-ingång för fjärranalys (Kelvin-anslutning)
• Inbyggd mjukstart, underspänningsspärr
• Litet DFN-paket med låg profil med 10 stift, 3 x 3 mm DFN-paket
• NCV51510MWTAG − Vätbar flank som tillval för förbättrad optisk inspektion
• NCV-prefix för fordon och andra applikationer som kräver unika krav på plats- och kontrolländringar; AEC−Q100-kvalificerad och PPAP-kompatibel*
• Detta är en Pb−fri enhet
Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.
