NCV1060BD100R2G PÅ

NCV1060BD100R2G ON
NCV1060BD100R2G ON
NCV1060BD100R2G ON
NCV1060BD100R2G ON
NCV1060BD100R2G ON

NCV1060BD100R2G PÅ

Tillgänglig
Skicka förfrågan
');*/ }); })
Detaljer
Förfrågan
NCV1060BD100R2G PÅ

• Inbyggd 670 V MOSFET med RDS(på) på 34 (NCV1060) och 11,4 (NCV1063)
• Stort krypavstånd mellan högspänningsstift
• Strömläge med fast frekvens – 60 kHz eller 100 kHz
• Justerbar toppström: se tabellen nedan
• Fast rampkompensation
• Direkt återkopplingsanslutning för icke-isolerad omvandlare
• Intern och justerbar OPP-krets (Over Power Protection)
• Hoppa över cykeldrift endast vid låga toppströmmar
• Dynamisk självförsörjning: inget behov av en extra lindning
• Intern 4 ms mjukstart
• Kortslutningsskydd för automatisk återställning av utgång med timerbaserad detektering
• Överspänningsskydd för automatisk återställning med extra lindningsdrift
• Frekvensskakning för bättre EMI-signatur
• Förbrukning av inmatad last utan belastning < 50 mW
"); });

Tips för att få korrekta offerter från leverantörer. Är du snäll inkludera följande i din förfrågan:
1. Personlig information eller företagsinformation
2. Ge produktförfrågan i detalj
3. Förfrågan om MOQ, enhetspris, etc

Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.

Relaterade produkter