NTB110N65S3HF PÅ
Tillgänglig |
NTB110N65S3HF PÅ
• 700 V @ TJ= 150°C
• Typ RDS(på)= 98 m
• Ultralåg gate-laddning (typ. qg= 62 nC)
• Låg effektiv uteffektskapacitans (typ. Coss(eff.)= 522 pF)
• 100 % lavintestad
• Dessa enheter är Pb-fria och är RoHS-kompatibla
• 700 V @ TJ= 150°C
• Typ RDS(på)= 98 m
• Ultralåg gate-laddning (typ. qg= 62 nC)
• Låg effektiv uteffektskapacitans (typ. Coss(eff.)= 522 pF)
• 100 % lavintestad
• Dessa enheter är Pb-fria och är RoHS-kompatibla
Se till att dina kontaktuppgifter är korrekta. Din Meddelandet kommer att skickas direkt till mottagaren/mottagarna och kommer inte att visas offentligt. Vi kommer aldrig att distribuera eller sälja din personlig information till tredje part utan att Ditt uttryckliga tillstånd.